摻鍺CZSi單晶光學性質及鍺分布均勻性的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文利用二次離子質譜(SIMS)、化學分析法(電感耦合等離子體(ICP)直讀光譜儀)、掃描電鏡能譜儀(SEM-EDX)三種方法對不同摻鍺濃度的CZSiGe單晶中鍺含量進行了測試,并對變速拉晶條件下鍺的有效分凝系數進行了計算,得出鍺的有效分凝系數(Ke)為0.62.根據測試結果畫出了不同濃度鍺的變化曲線.利用FTIR法測得了不同鍺濃度單晶中的氧碳含量,并對其譜圖進行了研究,得出:在譜圖的低波數端隨鍺濃度的提高(710cm<'-1>附近)

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