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文檔簡介
1、本文考慮壓力及準二維電子氣對雜質庫侖勢屏蔽的影響,計及各向同性電子有效質量,材料介電常數及禁帶寬度隨流體靜壓力的變化,利用變分法討論有限深量子阱中的施主雜質態(tài)能級。 對GaAs/A1<,x>Ga<,1-x>As量子阱中的雜質態(tài)結合能進行了數值計算,給出結合能隨鋁組份,阱寬和壓力的變化關系,并討論了有無屏蔽時的區(qū)別.結果顯示,屏蔽效應隨壓力而增加,且顯著降低雜質態(tài)的結合能。 計算結果表明,雜質態(tài)結合能隨壓力明顯增大.一方面
2、,屏蔽使結合能明顯下降,另一方面,屏蔽使結合能對壓力的敏感程度降低.結合能在有、無屏蔽時均隨阱寬的增加先增后減,在中間阱寬時出現極值,屏蔽使極值峰更為尖銳,在寬阱和窄阱時,屏蔽的影響更加明顯。 在鋁組份取0≤x≤0.4的范圍內,結合能隨鋁組份單調非線性增加,屏蔽效應使結合能降低,其變化趨勢大致與無屏蔽時一致。 進而,考慮壓力及屏蔽效應,同時計入量子阱結構中三類光學聲子模(局域類體光學聲子、半空間類體光學聲子和界面光學聲子
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