壓力下屏蔽及極化子效應對有限深量子阱中施主結合能的影響.pdf

1、本文考慮壓力及準二維電子氣對雜質庫侖勢屏蔽的影響，計及各向同性電子有效質量，材料介電常數及禁帶寬度隨流體靜壓力的變化，利用變分法討論有限深量子阱中的施主雜質態(tài)能級。 對GaAs/A1<,x>Ga<,1-x>As量子阱中的雜質態(tài)結合能進行了數值計算，給出結合能隨鋁組份，阱寬和壓力的變化關系，并討論了有無屏蔽時的區(qū)別．結果顯示，屏蔽效應隨壓力而增加，且顯著降低雜質態(tài)的結合能。 計算結果表明，雜質態(tài)結合能隨壓力明顯增大．一方面

2、，屏蔽使結合能明顯下降，另一方面，屏蔽使結合能對壓力的敏感程度降低．結合能在有、無屏蔽時均隨阱寬的增加先增后減，在中間阱寬時出現極值，屏蔽使極值峰更為尖銳，在寬阱和窄阱時，屏蔽的影響更加明顯。 在鋁組份取0≤x≤0.4的范圍內，結合能隨鋁組份單調非線性增加，屏蔽效應使結合能降低，其變化趨勢大致與無屏蔽時一致。 進而，考慮壓力及屏蔽效應，同時計入量子阱結構中三類光學聲子模(局域類體光學聲子、半空間類體光學聲子和界面光學聲子