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文檔簡介
1、本文基于新加坡特許半導體0.35μmEE工藝庫,使用3.3V電源電壓,設計了一個產(chǎn)生1GHz射頻本振信號的CMOS鎖相環(huán)頻率綜合器。整體鎖相環(huán)電路采用寬環(huán)路帶寬(7MHz)來抑制壓控振蕩器的相位噪聲,同時采用全差分結構來抑制電源電壓噪聲,襯底串擾噪聲以及從電路內(nèi)部和外部耦合的共模噪聲。 整個頻率綜合器經(jīng)過了從系統(tǒng)級到電路級的完整前端設計。在系統(tǒng)級設計上,使用Matlab的Simulink工具優(yōu)化了環(huán)路帶寬的取值并進行了時域的行為
2、級仿真;在電路級設計上,設計了所有關鍵模塊,并使用Cadence SpectreRF對整體電路進行了仿真。 仿真表明,在ss,typical,ff工藝角下,該頻率綜合器輸出的本振信號頻率均能正常鎖定到1GHz,并且建立時間小于500ns,位于500kHz頻偏處的相位噪聲分別為-103dBc/Hz,-105dBc/Hz,-102dBc/Hz,在100MHz頻偏處的毛刺功率分別為-43.9dBc,-42.6 dBc,-47.2dBc
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