對半色調(diào)式PSM的應用中旁瓣效應的研究.pdf

1、近二十年來，集成電路技術迅猛發(fā)展，集成度的不斷提高一直遵從摩爾定律：動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的集成度每十八個月翻一番。隨著芯片特征尺寸的微縮，芯片圖案集成度的增高，光刻作為整個半導體制程中的非常重要的一個環(huán)節(jié)，也面臨著越來越多的挑戰(zhàn)。解析度增強技術的研發(fā)和應用減小了光刻所能提供的特征圖形尺寸，推動著半導體行業(yè)不斷的前行。
　　本文詳細介紹了提高曝光分辨率的離軸照明技術；提高圖形對比度的相位移掩模技術；使顯影圖形更接近電路設計，提

2、高電路可靠性的光學臨近效應修正技術；消除基底反射的抗反射層涂布技術。
　　在半色調(diào)式PSM的應用中，由于半透明材料作為遮光膜，曝光時光束可以局部穿透，在改善成像質(zhì)量的同時，不可避免的會產(chǎn)生漏光的問題,造成旁瓣效應。隨著集成電路線寬進入亞微米尺寸以后，曝光光源相應的由I-line發(fā)展到KrF。但是因為KrF比較弱的照明強度，光刻膠也在朝著較高感光靈敏度和對比度的方向變化著，在成像質(zhì)量和成像速度大幅提高的同時，極易因旁瓣的光強達到光刻