高溫吸波材料基體的研究.pdf

1、該文以高溫吸波材料的基體作為基本研究方向,對莫來石、MAS和氮化硅陶瓷作為高溫吸波材料基體進行了研究,目的是為今后制備高溫吸波材料,選擇高溫吸波材料基體提供依據.以Al粉、TEOS為原料,采用熔膠-凝膠法制備了燒結性很好的莫來石先驅體粉末,所得富硅(Al<,2>O<,3>:SiO<,2>=68:32)莫來石先驅體粉末在1550℃、15MPa下熱壓燒結1小時后,致密度高達98.4﹪.XRD表明,該粉末未經熱處理前為非晶態(tài),在975℃開始莫

2、來石化.以硫酸鋁、硅溶膠為原料,采用溶膠-凝膠法制備了莫來石先驅體粉末,所得富硅莫來石先驅體粉末在1550℃、15MPa下熱壓燒結1小時后,致密度達97﹪.熱分析和XRD表明,該粉末經1300℃的熱處理,就完全轉變?yōu)槟獊硎?莫來石單相陶瓷的介電常數與莫來石先驅體粉末的成份有關,富硅(Al<,2>O<,3>:SiO<,2>=68:32)、富鋁(Al<,2>O<,3>:SiO<,2>=73:27)和理論比(Al<,2>O<,3>:SiO<,

3、2>=71.8:28.2)莫來石陶瓷的介電常數分別為:5.5、6.0和6.3.以硫酸鋁、硝酸鎂和硅溶膠為原料,采用溶膠-凝膠法,制得MAS先驅體粉末,XRD表明,該粉末經1300℃的熱處理后,完全轉變?yōu)檩狼嗍?MAS先驅體粉末在100MPa的軸向壓力下成型后,經1450℃無壓燒結2小時,得到單相堇青石陶瓷,其致密度達95.1﹪.以MgO和Y<,2>O<,3>為添加劑,采用熱壓燒結的方法,制備了Si<,3>N<,4>-Si/C/N復合材料