觸摸屏中金屬橋及ITO圖形消影的控制與機(jī)理研究.pdf

1、ITO傳感器（ITO Sensor），目前廣泛應(yīng)用于各類的電容式觸摸屏中。通過(guò)刻蝕玻璃基板上的ITO形成ITO電極陣列，再鍍金屬膜，接著刻蝕金屬膜在行電極與列電極交叉處形成金屬橋，這便是ITO傳感器的一般制作方法。由于金屬橋的反射率遠(yuǎn)高于周圍ITO膜和玻璃基板的，使得肉眼能觀察到觸控玻璃表面有金屬橋影。同時(shí)觸控玻璃表面有ITO的區(qū)域與無(wú)ITO的區(qū)域反射率相差較大，視覺(jué)反差明顯，肉眼可觀察到ITO電極影。針對(duì)目前ITO觸控玻璃存在金屬橋影

2、和ITO電極影的問(wèn)題，本文通過(guò)改進(jìn)磁控濺射工藝條件以及鍍制光學(xué)薄膜的途徑，來(lái)解決這兩個(gè)具有實(shí)際應(yīng)用價(jià)值的問(wèn)題。主要工作內(nèi)容及結(jié)論如下：
　?。?）金屬橋的主要成分是鋁膜，通過(guò)改進(jìn)鍍鋁膜的工藝條件，適當(dāng)增大鋁膜表面粗糙度，以降低金屬橋的反射率。
　?。?）經(jīng)實(shí)驗(yàn)探索出合適的直流磁控濺射條件：濺射功率400W，濺射氣壓4mT，基板溫度130℃，此時(shí)鋁膜表面粗糙度是19.2nm。實(shí)測(cè)工藝改進(jìn)前后金屬橋反射率從65.5％減小到54.

3、8%，金屬橋影得到有效削弱。
　　（3）在玻璃基板與ITO膜層之間鍍一種雙層結(jié)構(gòu)消影膜（invisible film或index match film），這種消影膜由一層Nb2O5和一層SiO2組成。所用玻璃基板厚度0.7mm，計(jì)算出Nb2O5、SiO2、ITO膜層的厚度分別為7nm、58nm、21nm時(shí)，在可見光范圍可使觸控玻璃ITO區(qū)域與無(wú)ITO區(qū)域反射率差值ΔR小于1.0%，滿足消影要求。
　?。?）制備鍍出有雙層結(jié)構(gòu)

4、消影膜的ITO觸控玻璃樣品，測(cè)出其在可見光范圍的反射率、透過(guò)率。結(jié)果表明鍍有消影膜的ITO觸控玻璃能使ΔR基本都控制在1.0%以下，消影效果良好，同時(shí)使透過(guò)率變得比較均勻。
　　（5）在雙層消影膜的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)四層結(jié)構(gòu)的消影膜。鍍有四層消影膜的ITO觸控玻璃結(jié)構(gòu)為Glass|Nb2O5|SiO2|Nb2O5|SiO2|ITO。計(jì)算出最優(yōu)的各層厚度為0.7mm|5nm|54nm|10nm|41nm|15nm。理論上可以使可見光范圍內(nèi)Δ