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文檔簡(jiǎn)介
1、隨著電子器件應(yīng)用頻率逐漸提高,現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)抗電磁干擾和電磁兼容技術(shù)提出了更高的要求。單片微波集成電路(MMIC)是未來(lái)微波器件和電路的發(fā)展方向。對(duì)微波電路及芯片內(nèi)部高頻傳輸線上信號(hào)中的高頻電磁噪聲進(jìn)行抑制,可以降低器件和電路的電磁兼容成本,減小體積,提高性能。本文針對(duì)上述背景,研究應(yīng)用于抑制高頻傳輸線電磁噪聲的薄膜噪聲抑制器,主要工作有:
采用有限元仿真軟件HFSS研究磁性薄膜在微帶傳輸線上的電磁噪聲抑制性能,從理論上證明了
2、薄膜電磁噪聲抑制器的重要機(jī)理為鐵磁共振,同時(shí)電磁噪聲抑制頻率隨薄膜尺寸改變主要是因?yàn)橥舜乓蜃幼兓瘜?dǎo)致鐵磁共振頻率變化。
研究了濺射工藝對(duì)NiZn鐵氧體薄膜軟磁性能的影響,得出最佳制備工藝條件為:背底真空低于5×10-4Pa,基片溫度300℃,濺射功率為140W,濺射氣壓為0.8Pa,退火溫度800℃。在此工藝基礎(chǔ)上,研究了Fe3O4為底層對(duì)NiZn鐵氧體薄膜性能的影響,研究表明添加了Fe3O4底層后,可以降低退火溫度,且磁導(dǎo)率
3、虛部略有提高。
研究了NiFe/IrMn鐵磁/反鐵磁多層薄膜中鐵磁層和反鐵磁層厚度變化對(duì)薄膜磁性能的影響。結(jié)果表明各向異性場(chǎng)和交換偏置場(chǎng)均隨鐵磁層厚度增加逐漸降低,而隨反鐵磁層厚度的增加迅速增加,反鐵磁層厚度達(dá)7nm后趨于穩(wěn)定。在薄膜的磁滯回線中出現(xiàn)了兩個(gè)不同大小的交換偏置場(chǎng),從而導(dǎo)致磁譜中出現(xiàn)了兩個(gè)共振峰,其原因?yàn)榈讓覰iFe受單層IrMn釘扎,其交換偏置場(chǎng)較小所致。
制作了共面波導(dǎo)測(cè)試夾具,測(cè)試薄膜電磁噪聲抑制性
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