應變硅納米MOS器件研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著MOS器件進入納米時代，等比例縮小帶來的諸多物理、工藝方面的限制極大地影響著MOS器件的性能。具有高載流子遷移率且與傳統(tǒng)硅工藝兼容的應變硅技術，已成為MOS集成電路延續(xù)摩爾定律的重要技術之一。
　　 本文深入研究分析了應變硅的晶格結構、能帶結構和載流子遷移率等基本物理特性，同時介紹了納米N/PMOS器件應力類型、雙軸應變和單軸應變技術及主要的應力引入方法，為后續(xù)研究工作奠定理論與技術基礎。
　　 基于納米MOS器件存

2、在的各種問題，本文重點研究了器件的源漏結構和其溝道結構。源漏采用SDE結構抑制熱載流子效應，溝道采用Halo結構和逆向摻雜結構避免穿通效應。
　　 本文以65nmNMOS應變硅器件為例，研究了器件結構優(yōu)化。分析了SiN膜的厚度、施加在SiN膜的本征應力以及多晶硅柵的厚度對引入溝道的應力影響。然后不但對影響應力大小和應力分布的參數(shù)做出了優(yōu)化；而且為了減小短溝道效應的各種影響，對于納米器件提出的各種結構進行了仿真。最終得到了65nm

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