取樣光柵制作過程中的鉻掩模占寬比測量技術研究.pdf

1、本文圍繞取樣光柵制作過程中的鉻掩模占寬比測量展開了理論研究和實驗研究。
　　 取樣光柵要求1級平均衍射效率0.1％-0.3％，衍射效率RMS小于5％。取樣光柵光刻膠掩模制作過程中，曝光量和周期的不均勻導致顯影后掩模占寬比的不均勻分布，這種占寬比的不均勻分布使刻蝕后的取樣光柵1級衍射效率呈現(xiàn)不均勻性。提出以鉻掩模代替光刻膠掩模制作均勻衍射效率取樣光柵的方法，通過測量掩模占寬比分布，確定一個合適的刻蝕深度，使取樣光柵的平均衍射效率及

2、衍射效率RMS達到要求。
　　 本文以嚴格耦合波方法為理論基礎，研究了光柵結構對鉻掩模及取樣光柵衍射效率的影響。通過測量鉻掩模0級衍射效率推算鉻掩模的占寬比分布；由鉻掩模的占寬比分布計算一定刻蝕深度下的取樣光柵1級平均衍射效率及衍射效率均勻性，可以為制作均勻效率的取樣光柵的下一步制作提供刻蝕參數(shù)。以TE入射和圓錐入射分別計算取樣光柵的衍射效率，兩者的差別不大，可以使用TE入射計算取樣光柵的衍射效率簡化計算。
　　 實驗制

3、作了一批鉻光柵并測量衍射效率，分別以矩形模型和梯形模型計算了占寬比，矩形模型計算得到的占寬比與SEM結果存在一定誤差，分析了誤差來源，接近實際槽形的梯形模型計算結果與SEM結果能夠較好符合。
　　 建立了衍射效率測量系統(tǒng)，并編寫了測量控制程序。測量了掩模占寬比并由占寬比模擬濕法均勻刻蝕下取樣光柵的衍射效率分布；濕法刻蝕后測量了取樣光柵1級衍射效率分布，測量結果與由掩模占寬比的模擬結果有一定的對應性。實驗結果表明以鉻掩模制作均勻衍