臭氧氧化法制造抗PID效應的單晶硅太陽電池.pdf

1、單晶硅太陽能電池轉化效率高（實驗室轉換效率達到25.6％，產業(yè)化生產的平均效率為19.5％），生產技術成熟，一直以來都是光伏產業(yè)發(fā)展的重點。本文主要是在常規(guī)單晶硅太陽電池生產中，引入O3氧化技術，在電池片表面生成SiO2-SiNx鈍化減反射膜結構，生產具備抗電勢誘導衰減效應(PID，PotentialInduced Degradation)能力的單晶硅太陽電池片的工藝方法，研究了所生成的鈍化減反射膜的微觀結構、以及薄膜的光學性能和生產出

2、的電池片的電性能。
　　用臭氧對濕法刻蝕后的硅片上表面氧化10s，在硅片上表面生成一層納米級的SiO2薄膜。結果表明，當臭氧濃度≥1200ppm時，親水性測試結果符合抗PID的工藝標準要求，生成的SiO2薄膜厚度約為10 nm。對臭氧氧化過的硅片，采用等離子體增強氣相沉積法(PECVD)，在460℃的溫度條件下，通過控制NH3和SiH4的流量比和淀積時間，在其表面生成雙層致密程度不同的氮化硅減反射薄膜。經(jīng)測試結果表明，含Si多的氮