磁控濺射工藝及退火溫度對(duì)h-BN薄膜的影響.pdf

1、h-BN具有類(lèi)似石墨的層狀結(jié)構(gòu)，獨(dú)特的結(jié)構(gòu)使h-BN具有禁帶寬、導(dǎo)熱率高、熔點(diǎn)高、介電常數(shù)低、抗熱沖擊性?xún)?yōu)良、電絕緣性好等獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)，其性能較石墨更為優(yōu)良，具有極高的應(yīng)用潛力。本文主要研究磁控濺射工藝及退火溫度對(duì)h-BN薄膜的影響。
　　本論文采用射頻磁控濺射法在n型Si(100)襯底上制備BN薄膜，對(duì)BN薄膜進(jìn)行AFM、SEM、FTIR、Raman及XPS分析，研究了氮?dú)饬髁?、?fù)偏壓、氫氣流量以及退火溫度對(duì)BN薄膜形貌與

2、結(jié)構(gòu)的影響。結(jié)果表明：
　　(1)適量的氮?dú)饬髁拷档土薆N薄膜的表面粗糙度，提高了薄膜的結(jié)晶度；高的負(fù)偏壓改變了BN薄膜的層狀生長(zhǎng)模式及晶粒取向，誘導(dǎo)了h-BN向c-BN的轉(zhuǎn)變，不利于高質(zhì)量層狀h-BN薄膜的制備；適量的氫氣流量平衡了h-BN中的缺陷，抑制了h-BN向c-BN的轉(zhuǎn)變，提高了h-BN薄膜穩(wěn)定性，利于高質(zhì)量層狀h-BN薄膜的制備。
　　(2)氮?dú)饬髁?、?fù)偏壓以及氫氣流量顯著影響 BN薄膜的形貌與結(jié)構(gòu)。在Si襯底上