磁控濺射工藝及退火溫度對h-BN薄膜的影響.pdf

1、h-BN具有類似石墨的層狀結構，獨特的結構使h-BN具有禁帶寬、導熱率高、熔點高、介電常數(shù)低、抗熱沖擊性優(yōu)良、電絕緣性好等獨特的物理化學性質，其性能較石墨更為優(yōu)良，具有極高的應用潛力。本文主要研究磁控濺射工藝及退火溫度對h-BN薄膜的影響。
　　本論文采用射頻磁控濺射法在n型Si(100)襯底上制備BN薄膜，對BN薄膜進行AFM、SEM、FTIR、Raman及XPS分析，研究了氮氣流量、負偏壓、氫氣流量以及退火溫度對BN薄膜形貌與

2、結構的影響。結果表明：
　　(1)適量的氮氣流量降低了BN薄膜的表面粗糙度，提高了薄膜的結晶度；高的負偏壓改變了BN薄膜的層狀生長模式及晶粒取向，誘導了h-BN向c-BN的轉變，不利于高質量層狀h-BN薄膜的制備；適量的氫氣流量平衡了h-BN中的缺陷，抑制了h-BN向c-BN的轉變，提高了h-BN薄膜穩(wěn)定性，利于高質量層狀h-BN薄膜的制備。
　　(2)氮氣流量、負偏壓以及氫氣流量顯著影響 BN薄膜的形貌與結構。在Si襯底上