簡介：TESTTESTTESTTESTOFOFOFOFFUNDAMENTALSFUNDAMENTALSFUNDAMENTALSFUNDAMENTALSOFOFOFOFMATERIALSMATERIALSMATERIALSMATERIALSSCIENCESCIENCESCIENCESCIENCE材料科學基礎試題庫一、填空題一、填空題0001燒結過程的主要傳質機制有_____、_____、_____、_____，當燒結分別進行四種傳質時，頸部增長XR與時間T的關系分別是_____、_____、_____、_____。0002晶體的對稱要素中點對稱要素種類有_____、_____、_____、_____，含有平移操作的對稱要素種類有_____、_____。0003晶族、晶系、對稱型、結晶學單形、幾何單形、布拉菲格子、空間群的數(shù)目分別是_____、_____、_____、_____、_____、_____。0004晶體有兩種理想形態(tài)，分別是_____和_____。0005晶體是指內部質點排列的固體。0006以NACL晶胞中（001）面心的一個球（CL離子）為例，屬于這個球的八面體空隙數(shù)為，所以屬于這個球的四面體空隙數(shù)為。0007與非晶體比較晶體具有自限性、、、、和穩(wěn)定性。0008一個立方晶系晶胞中，一晶面在晶軸X、Y、Z上的截距分別為2A、12A、23A，其晶面的晶面指數(shù)是。0009固體表面粗糙度直接影響液固濕潤性，當真實接觸角Θ時，粗糙度越大，表面接觸角，就越容易濕潤；當Θ，則粗糙度，越不利于濕潤。0010硼酸鹽玻璃中，隨著NA2O（R2O）含量的增加，橋氧數(shù)，熱膨脹系數(shù)逐漸下降。當NA2O含量達到1516時，橋氧又開始，熱膨脹系數(shù)重新上升，這種反?，F(xiàn)象就是硼反常現(xiàn)象。0011晶體結構中的點缺陷類型共分、和三種，CACL2中CA2進入到KCL間隙中而形成點缺陷的反應式為。0012固體質點擴散的推動力是________。0013本征擴散是指__________，其擴散系數(shù)D＝_________其擴散活化能由________和_________組成。0014析晶過程分兩個階段，先______后______。0015晶體產生FRANKEL缺陷時，晶體體積_________，晶體密度_________；而有SCHTTY缺陷時，晶體體積_________晶體密度_________。一般說離子晶體中正、負離子半徑相差不大時，_________是主要的；兩種離子半徑相差大時，_________是主要的。0016少量CACL2在KCL中形成固溶體后，實測密度值隨CA2離子數(shù)K＋離子數(shù)比值增加而減少，由此可判斷其缺陷反應式為_________。0017TG是_________它與玻璃形成過程的冷卻速率有關，同組分熔體快冷時TG比慢冷時_________淬冷玻璃比慢冷玻璃的密度_________熱膨脹系數(shù)_________。0018同溫度下，組成分別為102NA2O－08SIO2；201NA2O－01CAO－08SIO2302CAO－08SIO2的三種熔體，其粘度大小的順序為_________。0019三T圖中三個T代表__________________和_________。0020粘滯活化能越_________粘度越_________。硅酸鹽熔體或玻璃的電導主要決定于_________。002102NA2O08SIO2組成的熔體，若保持NA2O含量不變，用CAO置換部分SIO2后，電導_________。0022在NA2O－SIO2熔體中加入AL2O3NA2OAL2O31熔體粘度_________。3相均為熱力學介穩(wěn)相；C有分相勢壘；D分相時質點作負擴散；DB分相區(qū)在液相線下0043液－固相變中的非均勻成核是指_____________形成晶核的過程。它的成核位壘隨接觸角Θ的_______而降低，當由0～900時，成核位壘GK與均勻成核位壘GK的關系為___。0044MGO具有______型結構，其對稱型______，空間群______，屬于______晶族和______晶系，正負離子配位數(shù)為______，單個晶胞占有正負離子的數(shù)目為______。0045KCLAGCL和CU2S極化程度的大小順序是___，極化結果改變配位數(shù)的是___，不極化結果改變配位數(shù)的是___。0046下列化合物屬于什么結構（1）藍維礦BATISI3O9______，（2）透輝石CAMGSI2O6______，（3）滑石MG3SI4O10OH2______，（4）石英SIO2______，（5）鎂橄欖石MG2SIO4______0047液相燒結與固相燒結相同的是其過程都由____，____，____等三個階段組成，不同點是____，_____，_____。0048燒結有______，______，______，______等四種傳質方式，產生的原因分別是______，______，______，______。0049在燒結初期，若XR與T13成正比，其屬于______傳質過程，這種燒結的推動力是______，收縮率為______。0050一種擴散過程LND與1T的變化關系如圖所示，該擴散屬于______擴散過程，圖中各部分線段的斜率分別是（1）______（2）______（3）______，各部分線段所表示的擴散類型是（1）______（2）______（3）______。0051造成二次再結晶的原因主要是______，及______，其次是______，及______等。0052NACL晶胞中CL離子作最緊密堆積，NA＋填充面體空隙的100，以（001）面心的一個球（CL離子）為例，屬于這個球的八面體空隙數(shù)為，所以屬于這個球的四面體空隙數(shù)為，正負離子配位數(shù)為_____，配位多面體之間共______連接，單個晶胞占有正負離子的數(shù)目為______。0053晶體結構中的點缺陷類型共分、和三種，CAO加入到ZRO2中形成間隙式固溶體的的缺陷反應式為，固溶式分子式。形成置換式固溶體的的缺陷反應式為，固溶式分子式。填空題填空題答案答案0001蒸發(fā)－冷凝，擴散，溶解－沉淀，流動；13，15，16，12。0002對稱面、對稱中心、對稱軸，旋轉反伸軸；滑移面、螺旋軸；C、M。00033、7、32、146、47、14、230。0004單形、聚形。0005內部質點在三維空間成周期性重復排列的固體。00061，20007自限性、均一性、異向性、對稱性、最小內能。022PTCG

簡介：430511班材料科學與工程基礎復習資料僅供參考整理曹永友1材料科學與工程基礎材料科學與工程基礎FUNDAMENTALSOFMATERIALSSCIENCEENGINEERINGCHAPTERONE引言引言LEARNINGOBJECTIVES1列出決定材料應用的六種不同性能列出決定材料應用的六種不同性能MECHANICALPROPERTIES力學性能力學性能ELECTRICALPROPERTIES電性能電性能THERMALBEHAVI熱性能熱性能MAGICPROPERTIES磁性能磁性能OPTICALPROPERTIES光性能光性能DETERIATIVEACTERISTICS老化特性老化特性2說明涉及材料設計，生產和利用的四個因素，并簡要說明它們之間的相互關說明涉及材料設計，生產和利用的四個因素，并簡要說明它們之間的相互關系PROCESSING加工過程加工過程〉STRUCTURE組織結構組織結構〉PROPERTIES性能（性質）性能（性質）〉PERFMANCE使用性能使用性能結構依賴于加工。結構依賴于加工。性質決定使用性能。因此它們之間關系是線性的。性質決定使用性能。因此它們之間關系是線性的。3舉出在材料的甄選過程三個標準舉出在材料的甄選過程三個標準A考慮材料的使用條件考慮材料的使用條件B考慮材料使用過程的老化考慮材料使用過程的老化C優(yōu)先考慮材料的經濟性優(yōu)先考慮材料的經濟性4A列出三類主要的固體材料，并說明它們化學特點列出三類主要的固體材料，并說明它們化學特點METAL金屬金屬具特有光澤而不透明（對可見光強烈反射的結果）具特有光澤而不透明（對可見光強烈反射的結果），富有展性、延，富有展性、延性及導熱性、導電性的這一類物質。性及導熱性、導電性的這一類物質。CERAMIC陶瓷陶瓷各種無機非金屬固體材料各種無機非金屬固體材料POLYMER聚合物由千百個原子彼此以共價鍵結合形成相對分子質量特別大、具聚合物由千百個原子彼此以共價鍵結合形成相對分子質量特別大、具有重復結構單元的有機化合物。有重復結構單元的有機化合物。B寫出其他三種材料，并說明它們特點寫出其他三種材料，并說明它們特點COMPOSITES復合材料是以一種材料為基體復合材料是以一種材料為基體MATRIX，另一種材料為增強體，另一種材料為增強體430511班材料科學與工程基礎復習資料僅供參考整理曹永友3的基礎上建立了氫原子核外電子運動模型，提出了原子結構理論上的三點假設的基礎上建立了氫原子核外電子運動模型，提出了原子結構理論上的三點假設（1）任意軌道上繞核運動，而是在一些符合一定量子化條件的軌道上運動；）任意軌道上繞核運動，而是在一些符合一定量子化條件的軌道上運動；（2）電子軌離核越遠，原子所含的能量越高，電子盡可能處在離核最近的軌）電子軌離核越遠，原子所含的能量越高，電子盡可能處在離核最近的軌道上；（道上；（3）只有電子從較高能級躍遷到較低能級時，原子才會以光子形式釋）只有電子從較高能級躍遷到較低能級時，原子才會以光子形式釋放能量。玻而爾理論解釋了原子發(fā)光現(xiàn)象但無法解釋精細結構和多原子、分子放能量。玻而爾理論解釋了原子發(fā)光現(xiàn)象但無法解釋精細結構和多原子、分子或固體的光譜，存在局限性。或固體的光譜，存在局限性。量子力學模型量子力學模型量子力學是建立在微觀世界的量子性和微粒運動統(tǒng)計性基量子力學是建立在微觀世界的量子性和微粒運動統(tǒng)計性基本特征上，在量子力學處理氫原子核外電子的理論模型中，最基本的方程叫做本特征上，在量子力學處理氫原子核外電子的理論模型中，最基本的方程叫做薛定諤方程，是由奧地利科學家薛定諤（薛定諤方程，是由奧地利科學家薛定諤（ESCHRDINGER18871961）在）在1926年提出來的。薛定諤方程是一個二階偏微分方程，它的自變量是核外電子的坐提出來的。薛定諤方程是一個二階偏微分方程，它的自變量是核外電子的坐標，它的因變量是電子波的振幅（Ψ）標，它的因變量是電子波的振幅（Ψ）。給定電子在符合原子核外穩(wěn)定存在的。給定電子在符合原子核外穩(wěn)定存在的必要、合理的條件時，薛定諤方程得到的每一個解就是核外電子的一個定態(tài)，必要、合理的條件時，薛定諤方程得到的每一個解就是核外電子的一個定態(tài)，它具有一定的能量，具有一個電子波的振幅隨坐標改變的的函數(shù)關系式Ψ它具有一定的能量，具有一個電子波的振幅隨坐標改變的的函數(shù)關系式ΨFXYZ，稱為振幅方程或波動方程。，稱為振幅方程或波動方程。2能夠描述有關電子能量的量子力學法則。能夠描述有關電子能量的量子力學法則。能量最低原理，能量最低原理，PAULIPAULI不相容原理，不相容原理，HUNDHUND規(guī)則。規(guī)則。4A能夠簡單描述離子鍵，共價鍵，金屬鍵，氫鍵和范德華鍵。能夠簡單描述離子鍵，共價鍵，金屬鍵，氫鍵和范德華鍵。B能夠列出以這些化學鍵結合的典型物質。能夠列出以這些化學鍵結合的典型物質。離子鍵原子之間發(fā)生電子轉移，形成正、負離子，并通過靜電作用而形離子鍵原子之間發(fā)生電子轉移，形成正、負離子，并通過靜電作用而形成的化學鍵。離子鍵的本質是靜電作用，無方向性、無飽和性。離子鍵程度與成的化學鍵。離子鍵的本質是靜電作用，無方向性、無飽和性。離子鍵程度與元素的電負性有關。元素的電負性有關。共價鍵不同原子依靠共享電子，或原子軌道的最大重疊而結合形成的化共價鍵不同原子依靠共享電子，或原子軌道的最大重疊而結合形成的化學鍵為共價鍵。共價鍵的本質是電性的，是兩原子核對共用電子對或原子軌道學鍵為共價鍵。共價鍵的本質是電性的，是兩原子核對共用電子對或原子軌道重疊所形成負電區(qū)域的吸引力，不是正負離子間的靜電力。共價鍵有方向性和重疊所形成負電區(qū)域的吸引力，不是正負離子間的靜電力。共價鍵有方向性和飽和性。飽和性。金屬鍵在固態(tài)或液態(tài)金屬中，價電子可以自由地在不同原子間移動，使金屬鍵在固態(tài)或液態(tài)金屬中，價電子可以自由地在不同原子間移動，使其成為多個原子所共有，這些共用電子將許多原子粘合在一起的作用，被稱為其成為多個原子所共有，這些共用電子將許多原子粘合在一起的作用，被稱為是金屬鍵。是金屬鍵。氫鍵分子中帶正電的氫原子與另一分子中含有的孤對電子靠近并產生的氫鍵分子中帶正電的氫原子與另一分子中含有的孤對電子靠近并產生的吸引力為氫鍵。氫鍵形成的條件是必須在分子中存在電負性很強的元素使氫原吸引力為氫鍵。氫鍵形成的條件是必須在分子中存在電負性很強的元素使氫原子具有強極性，同時，分子中帶有孤對電子，電負性大和半徑小的元素所構子具有強極性，同時，分子中帶有孤對電子，電負性大和半徑小的元素所構成。氫鍵具有方向性和飽和性。成。氫鍵具有方向性和飽和性。范德華鍵由分子的取向力、誘導力和色散力導致分子間的作用力稱為范德華鍵由分子的取向力、誘導力和色散力導致分子間的作用力稱為VANDERWAALS鍵。鍵。CHAPTERTHREE金屬和陶瓷的結構（三種典型晶體結構、晶面、晶向）重點金屬和陶瓷的結構（三種典型晶體結構、晶面、晶向）重點重點為第三章。特別是三種常見的晶體結構以及晶面和晶向及其指數(shù)。重點為第三章。特別是三種常見的晶體結構以及晶面和晶向及其指數(shù)。

簡介：西北工業(yè)大學20122012年碩士研究生入學考試試題年碩士研究生入學考試試題答案答案試題名稱材料科學基礎試題編號832說明所有答題一律寫在答題紙上第頁共頁一、一、簡答題（每題簡答題（每題10分，共分，共50分）分）1請簡述滑移和孿生變形的特點答滑移變形特點1）平移滑動相對滑動的兩部分位向關系不變2）滑移線與應力軸呈一定角度3）滑移不均勻性滑移集中在某些晶面上4）滑移線先于滑移帶出現(xiàn)由滑移線構成滑移帶5）特定晶面，特定晶向孿生變形特點1部分晶體發(fā)生均勻切變2變形與未變形部分呈鏡面對稱關系，晶體位向發(fā)生變化3臨界切分應力大4孿生對塑變貢獻小于滑移5產生表面浮凸2什么是上坡擴散哪些情況下會發(fā)生上坡擴散答由低濃度處向高濃度處擴散的現(xiàn)象稱為上坡擴散。應力場作用、電場磁場作用、晶界內吸附作用和調幅分解反應等情況下可能發(fā)生上坡擴散。擴散驅動力來自自由能下降，即化學位降低。3在室溫下，一般情況金屬材料的塑性比陶瓷材料好很多，為什么純銅與純鐵這兩種金屬材料哪個塑性好說明原因。答金屬材料的塑性比陶瓷材料好很多的原因從鍵合角度考慮，金屬材料主要是金屬鍵合，無方向性，塑性好；陶瓷材料主要是離子鍵、共價鍵，共價鍵有方向性，塑性差。離子鍵產生的靜電作用力，限制了滑移進行，不利于變形。銅為面心立方結構，鐵為體心立方結構，兩者滑移系均為12個，但面心立方的滑移系分布取向較體心立方勻衡，容易滿足臨界分切應力。且面心立方滑移面的原子堆積密度比較大，因此滑移阻力較小。因而銅的塑性好于鐵。4請總結并簡要回答二元合金平衡結晶過程中，單相區(qū)、雙相區(qū)和三相2、在兩個相互垂直的滑移面上各有一條刃型位錯AB、XY，如圖所示。假設以下兩種情況中，位錯線XY在切應力作用下發(fā)生運動，運動方向如圖中V所示，試問交割后兩位錯線的形狀有何變化（畫圖表示）在以下兩種情況下分別會在每個位錯上形成割階還是扭折新形成的割階或扭折屬于什么類型的位錯答A圖①XY向下運動與AB交割，產生PP′小臺階，寬度為|B1|②PP′的柏氏矢量仍為B2③PP′⊥B2為刃型位錯④PP′不在原滑移面上，為割階⑤XY平行于B2，不形成臺階B圖①AB位錯線上出現(xiàn)PP′平行于B2，寬度為|B1|②PP′的柏氏矢量仍為B2③PP′∥B2為螺型位錯④PP′在原滑移面上，為扭折⑤XY位錯線上出現(xiàn)QQ′平行于B1，寬度為|B2|⑥QQ′的柏氏矢量仍為B1⑦QQ′∥B1為螺型位錯⑧QQ′在原滑移面上，為扭折

簡介：1有關晶面及晶向附圖21所示。2見附圖22所示。3100＝100十010001，共3個等價面。110＝110十101101011011110，共6個等價面。111＝111111111111，共4個等價面。1311012AB，其大小為AB22||，其方向見附圖24所示。2位錯線方向及指數(shù)如附圖24所示。141能。幾何條件∑B前＝∑B后＝1113A；能量條件∑B前2＝232A∑B后2＝231A2不能。能量條件∑B前2＝∑B后2，兩邊能量相等。3不能。幾何條件∑B前＝AB557，∑B后＝AB111，不能滿足。4不能。能量條件∑B前2＝A2∑B后2＝231A2B合＝1113A；該位錯為弗蘭克不全位錯。161假設晶體中位錯線互相纏結、互相釘扎，則可能存在的位錯源數(shù)目11101010LN個／CM3。2ΤNI＝195107PA。

簡介：1第二章第二章思考題與例題思考題與例題1離子鍵、共價鍵、分子鍵和金屬鍵的特點，并解釋金屬鍵結合的固體材料的密度比離子鍵或共價鍵固體高的原因2從結構、性能等方面描述晶體與非晶體的區(qū)別。3何謂理想晶體何謂單晶、多晶、晶粒及亞晶為什么單晶體成各向異性而多晶體一般情況下不顯示各向異性何謂空間點陣、晶體結構及晶胞晶胞有哪些重要的特征參數(shù)4比較三種典型晶體結構的特征。（AL、ΑFE、MG三種材料屬何種晶體結構描述它們的晶體結構特征并比較它們塑性的好壞并解釋。）何謂配位數(shù)何謂致密度金屬中常見的三種晶體結構從原子排列緊密程度等方面比較有何異同5固溶體和中間相的類型、特點和性能。何謂間隙固溶體它與間隙相、間隙化合物之間有何區(qū)別（以金屬為基的）固溶體與中間相的主要差異（如結構、鍵性、性能）是什么6已知CU的原子直徑為256，求CU的晶格常數(shù)，并計算1MM3CU的原子數(shù)。A7已知AL相對原子質量AR（AL）2697，原子半徑Γ0143NM，求AL晶體的密度。8BCC鐵的單位晶胞體積，在912℃時是002464NM3；FCC鐵在相同溫度時其單位晶胞體積是00486NM3。當鐵由BCC轉變?yōu)镕CC時，其密度改變的百分比為多少9何謂金屬化合物常見金屬化合物有幾類影響它們形成和結構的主要因素是什么其性能如何10在面心立方晶胞中畫出012和13晶向。在面心立方晶胞中畫出（012）和（13）22晶面。11設晶面（152）和（034）屬六方晶系的正交坐標表述，試給出其四軸坐標的表示。反之，求（）及（22）的正交坐標的表示。（練習），上題中均改為相應晶向指數(shù)，求312111相互轉換后結果。12在一個立方晶胞中確定6個表面面心位置的坐標，6個面心構成一個正八面體，指出這個八面體各個表面的晶面指數(shù)，各個棱邊和對角線的晶向指數(shù)。13寫出立方晶系的110、100、111、112晶面族包括的等價晶面，請分別畫出。14在立方晶系中的一個晶胞內畫出（111）和（112）晶面，并寫出兩晶面交線的晶向指數(shù)。15在六方晶系晶胞中畫出110，101晶向和（102）晶面，并確定（102）晶面2111與六方晶胞交線的晶向指數(shù)。16在立方晶系的一個晶胞內同時畫出位于（101），（011）和（112）晶面上的11晶1向。17在1000℃，有WC為17的碳溶于FCC鐵的固溶體，求100個單位晶胞中有多少個碳3作柏氏回路，B；（2）圍繞單個作柏氏回路，B（表明方向和強度）7方形晶體中有兩根刃型位錯，如下圖4（1）當周圍晶體中（A）空位多于平衡值；B）空位少于平衡值；C）間隙原子多于平衡值；（D）間隙原子少于平衡值時，位錯易于向何種方向攀移（2）加上怎樣的外力，才能使這兩根位錯線通過純攀移而相互靠攏8簡單立方晶體中（100）面上有一位錯，00，001，問（1）若在（001）B1面上有一個010，100的位錯與之相割，結果如何（2）若在（001）面上有一個BB100，001的位移與之相割，結果如何（3）交割反應的結果對位錯進一步運動有何影響9畫一方形位錯環(huán)，并在這個平面上畫出柏氏矢量（沿對角線方向）及位錯線方向（順時針），據(jù)此指出位錯環(huán)各段的性質，并示意畫出晶體滑移后的結果。10在實際晶體中存在有哪幾類缺陷各有什么特征11何謂刃型位錯和螺型位錯全面比較兩者有何異同何謂柏氏矢量如何用柏氏矢量來判斷位錯類型12兩個相同符合的的刃型位錯，在同一滑移面相遇；它們會排斥還是會吸引13試說明晶體中位錯運動的方式滑移，攀移及交滑移的條件，過程和結果，并闡述如何確定位錯滑移運動的方向在刃型位錯與螺型位錯的滑移運動中，滑移方向與柏氏矢量、切應力及位錯線的位向關系是什么14晶界在金屬材料中所起的作用有哪些當金屬熔化時，是先在晶界還是先在晶粒中心熔化，為什么15試分別描述位錯增殖的FR源機制和雙交滑移機制。如果進行雙交滑移的那段螺形位錯的長度為50NM，而位錯的柏氏矢量為08NM，試求實現(xiàn)位錯增殖所必需的切應力（G40GPA）16何謂小角度晶界有哪些類型原子排列上有什么特征17一個位錯環(huán)能否各部分都是螺位錯能否各部分都是刃位錯為什么18在刃型位錯與螺型位錯的滑移運動中，滑移方向與柏氏矢量、切應力及位錯線的位向關系是什么19何謂割階、扭折割階或扭折的長短和位向如何割階或扭折的柏氏矢量如何產生割階或扭折后位錯應變能的增加量如何割階或扭折對原位錯線運動有何影響20舉例或畫圖說明什么是小角度晶界的位錯模型描述大角度晶界有何模型其含義是什么21點缺陷分幾種它們對周圍原子排列有何影響何謂空位平衡濃度其影響因素是什么這些缺陷對金屬性能有何影響22繪圖說明用柏氏回路方法求出位錯的柏氏矢量，并說明柏氏矢量的物理意義及用柏氏矢量如何確定位錯性質23名詞區(qū)別刃型位錯和螺型位錯，割價和扭折，交滑移和多滑移，滑移和攀移，晶界、相界和孿晶界，共格相界、非共格相界和半共格相界，小角度晶界和大角度晶界

簡介：化學與材料科學學院化學與材料科學學院2012年擬招生總人數(shù)年擬招生總人數(shù)220人，包含以下專業(yè)人，包含以下專業(yè)學科專業(yè)代碼學科專業(yè)代碼070300學科專業(yè)名稱學科專業(yè)名稱化學報考條件報考條件推免生、統(tǒng)考生專業(yè)介紹主要內容包括中國科技大學化學學科是國家一級重點學科，設一級學科博士、碩士學位授權點。碩士生招生涵蓋的二級學科包括無機化學、分析化學、有機化學、物理化學、高分子化學與物理和化學生物學。研究方向覆蓋各二級學科的主要分支，并有學科之間的廣泛交叉。無機化學專業(yè)以無機合成化學和固體化學方向為特色，注重材料科學與凝聚態(tài)物理的交叉與結合，并通過無機合成、固體化學、材料科學與凝聚態(tài)物理等學科的交叉，推動無機化學在材料、信息、能源與環(huán)境等相關領域中的重要基礎問題和關鍵技術問題的研究和解決。也開展生物無機化學和配位化學方向的研究。有機化學專業(yè)涵蓋有機化學三級學科的主要研究方向，包括理論有機化學、不對稱催化、金屬有機化合物及新型催化劑的合成、惰性化學鍵的催化活化及轉化、富勒烯衍生物的制備與性能、新型有機功能材料、綠色有機合成等。分析化學專業(yè)的特點是以新方法、新思維適應學科發(fā)展，開展各種分析新方法的研究，如電化學分析、發(fā)光與熒光分析、光聲光譜、電動分離富集、化學計量學等。同時與其他學科互相滲透和交叉，如生物醫(yī)學分析、生物成像分析、環(huán)境與食品安全分析、生物納米分析、化學生物傳感器、煙草分析化學等。物理化學含化學物理專業(yè)包括單分子物理與化學、原子分子光譜與化學動力學、膠體和生物大分子物理化學、表面物理化學、催化化學和電化學、理論與計算化學等，并向材料和生命科學滲透。該專業(yè)側重化學與物理學交叉領域的分子及聚集體的結構、性質及相互關系，具有宏觀與微觀的結合、化學與物理相結合、理論與實驗的結合、基礎與應用的結合等特點。高分子化學與物理專業(yè)高分子化學與物理專業(yè)基于各種可控聚合反應和前體合成方法，結合先進的結構和性能研究表征手段，以調控高分子聚集體的結構和性能為目標，研究高分子科學的基礎和應用基礎問題；與化學、生物、能源、信息等學科的廣泛交叉是該學科目前的重要發(fā)展內容；研究內容涵蓋高分子合成方法學、高分子聚集態(tài)調控和模擬、生物醫(yī)用高分子材料、工程材料、光電磁功能材料、高性能分離材料、高分子輻射化學等?；瘜W生物學專業(yè)主要開展分子識別、小分子調控與藥物化學、生物無機化學、生物分析化學、細胞化學生物學等方向的研究。應用化學專業(yè)包括污染控制化學、膜科學與技術、能源化學、煙草化學等研究方向，以培養(yǎng)具有堅實的應用化學基礎知識和實驗技能，有一定的化工知識，既能從事應用化學及相關領域的基礎研究和科技開發(fā)，又能從事高等教育的高層次專業(yè)人才為主要目標。生物質化學專業(yè)是我校的新興交叉前沿學科，主要開展生物質化學轉化方面的基礎和應用研究。主要研究內容包括生物質結構和轉化機理，生物質催化轉化制液體燃料，生物質基能源平臺分子和高附加值化學品的制備，生物油的重整制氫和精煉提質等。碩士研究碩士研究方向方向碩士考試碩士考試科目科目覆蓋范圍覆蓋范圍參考書目參考書目無機化學有機化學分析化學物理化學含化學物理化學生1101思想政治2201英語一3621物理化學4846綜合化綜合化學包括無機化學、分析化學和有機化學相關內容。無機化學部分涵蓋化學原理、化學理論和描述化學（元素及其化合物的性質），注重元素與化合物的基本性質與化學原理、化學理論的有機結合。分析化學部分以定量分析內容為主，包括化學分析的基本理論和儀器分析的基本原理、基本實驗技能和分析方法的綜合應用。根據(jù)分析化學實驗性強的特點，要求在正確理解分析化學基本理論的基礎上，具備一定的分析化學實驗技能。注意分析化學學科的發(fā)展方向以及分析化學與生命科學、材料科學和環(huán)境科學等交叉領域的新問題。有機化學部分考試命題的知識范圍涵蓋基礎有機化學的全部內容，根據(jù)有機化合物結構特點，要求正確理解各類基本有機反應機理，具備應用基礎有機化學知識理解實驗結果、解釋實驗現(xiàn)象、綜合化學，中國科技大學出版社，2011物理化學，付獻彩，高等教育出版社。物理化學概念辨析解題方法，范崇政，中國科大出版社。高分子化學，潘才元化學中的分離方法；各類高分子成方法的理論與實踐；高分子化學與高分子物理實驗中涉及到的基本操作、關鍵知識點等。參考書目有機化學伍越寰等編，科大出版社；有機化學實驗蘭州大學等編（第二版），高等教育出版社；儀器分析武漢大學編，高等教育出版社；高分子化學科大出版社；新編高聚物的結構與性能科學出版社；高分子化學實驗科大出版社；高分子物理實驗科大出版社。面試英語應用能力考核、綜合能力測試及實驗操作?；瘜W生物學筆試基礎化學知識的綜合應用、基礎生物化學知識。參考書目各類相關的高等教材都適用；面試英語應用能力考核、綜合能力測試。應用化學筆試加口試。包括液體動力過程，傳熱過程，傳質過程，反應器基本原理生物質化學筆試包括有機化學、分析化學、催化化學和化學工程等基礎理論及其綜合應用。參考書目各類相關的高等教材都適用。面試綜合素質考核。學科專業(yè)代碼學科專業(yè)代碼080500學科專業(yè)名稱學科專業(yè)名稱材料科學與工程報考條件報考條件推免生、統(tǒng)考生專業(yè)介紹主要內容包括材料科學與工程涵蓋材料學、材料物理化學和材料加工工程3個二級學科材料學是以材料化學（材料熱力學和動力學、固體化學、陶瓷工藝學和材料合成化學）為主要學科基礎的研究生培養(yǎng)單位，重點關注無機功能材料的制備、性能表征和改善、以及材料在（原型）器件中的集成與應用。研究方向涉及新型能量轉換和儲存的固體氧化物燃料電池、鋰離子電池、陶瓷膜反應器、陶瓷發(fā)光材料、納米功能材料、熱敏陶瓷、多孔和致密無機分離膜處理、以及生物材料等。開設的課程包括材料中的速率過程、材料熱力學與相平衡、材料合成化學、陶瓷科學與工藝學、固體化學、化學汽相淀積與薄膜工藝、溶膠凝膠化學與工程引論、新能源材料與技術、先進材料制備技術、材料科學與工程前沿等。本學科點培養(yǎng)具有堅實、系統(tǒng)的材料科學與工程理論基礎和實驗技能，了解材料科學發(fā)展的前沿和動態(tài)，適應我國經濟、科技、教育發(fā)展需要，能夠在本學科和相關學科領域獨立開展工作的高層次人才。本學位點共有7名正教授和4名副教授。材料物理與化學是以材料物理、材料化學、固體物理、功能薄膜等為主要學科基礎的研究生培養(yǎng)單位。研究方向涉及新能源材料的光伏、光電、熱電材料和半導體材料、功能納米材料等，涉及無機非金屬功能材料的理論計算、物理和化學制備、性能表征等研究內容。培養(yǎng)具有堅實、系統(tǒng)的材料物理與化學理論基礎和實驗技能，了解材料物理與化學發(fā)展的前沿和動態(tài)，適應我國經濟、科技、教育發(fā)展需要，能夠在本學科和相關學科領域獨立開展工作的高層次人才。材料物理與化學學位點的碩士、博士畢業(yè)生主要去向為出國留學、高等院校任教、科研院所從事材料科學與工程、材料物理與化學專業(yè)研究、國內半導體材料、電子陶瓷、晶體、薄膜生長等高科技公司從事研發(fā)工作。本學科點共有8名正教授和4名副教授。材料加工工程研究高分子材料的制備、加工與改性，探索高分子材料的結構與電、磁、光等性能的關系，具有化學與物理、基礎與工程應用、結果與性能密切結合的特點。研究方向包括高分子復合材料的成型加工，高分子材料增韌改性，無機有機雜化材料，阻燃高分子復合材料，聚合物無機納米復合材料，聚合物膜，光敏聚合物，聚合物光子材料加工工程，丙烯酸酯聚合物的制備與應用，高分子微結構與加工性能和生物醫(yī)用材料等。本學科點培養(yǎng)具有堅實、系統(tǒng)的高分子材料加工工程理論基礎和實驗技能，了解高分子材料科學發(fā)展的前沿和動態(tài)，適應我國經濟、科技、教育發(fā)展需要，能夠在本學科和相關學科領域獨立開展工作的高層次人才。材料加工工程學位點的碩士、博士畢業(yè)生主要去向為出國留學、高等院校任教或在科研院所及國內外高新技術公司從事高分子材料加工工程方面的研發(fā)工作。本學位點共

簡介：材料科學基礎余永寧第二版答案材料科學基礎余永寧第二版答案其實放眼看去，咱們學過的幾節(jié)課中讓人稍感不適的無非就那14種布喇菲點陣的劃分，晶帶和沒怎么理解的倒易點陣，針對這些本文將陸續(xù)展開敘述。晶體的基本特征P2晶體那五個什么基本特性翻翻看就好。晶體結構和點陣P3晶體由結構基元在空間呈不隨時間變化的規(guī)則三維周期排列而形成。點陣即等同點組成的陣列。P4初基矢量、初基單胞、復式初基單胞初基單胞體積、面積、長度不管怎樣劃分都相等P5單胞體積與陣點距離的公式看下應該就好，應該不會用得到P6點陣結構基元晶體結構對稱性P7對稱性就是通過平移、旋轉、反映等一系列操作后還能和自身重合，這也是后面晶系的劃分依據(jù)P8對稱變換的主動操作與被動操作隨便看看就好。P9關于旋轉，課本舉的是由平行于XOY平面的向量繞Z軸旋轉一定角度后得到新向量的變換，即R′RR，具數(shù)。P1517旋轉反演，國際方案與熊夫利斯方案并不相同，前者是先旋轉再反演，后者是先旋轉再反映，但二者都是非同宇的，而且二者間確有聯(lián)系，如S35等。其實這東西覺得蠻少用到，先理解著記住吧。晶系和點陣幾何P18上面那篇推導就想說明若晶體中含有旋轉軸，那么其軸次只能是12346，推導關鍵就是BB′∥AA′且為其整數(shù)倍。不喜歡推倒的同學記住結論應該就可以了。P1923有關晶系的劃分簡單來說三斜就是最不規(guī)則的平行六面體；單斜、正交、四方、六方很相似，首先明確這幾個都是立柱。單斜底面是一不規(guī)則平行四邊形，正交底面是一矩形，四方底面是一正方形，六方底面是一夾角為120的菱形；剩下的立方和菱形則比較相似，立方不多說，菱形其實就是立方沿其一體對角線這么一拉就OK了。這樣分這七種晶系應該就好理解多了，點陣常數(shù)間的關系無須再作說明。再看分類依據(jù)旋轉軸首先三斜只有恒等變換，單斜就一2次軸，立方有兩個以上的2次軸，四方有一個4次軸，立方是四個3次

簡介：材料科學與工程復習思考題及參考答案（34）3工程材料的基本性能31何謂材料的工藝性能，金屬材料的工藝性能有哪些32何謂材料的使用性能，一般使用性能有哪些33材料性能是材料對于各種廣義負荷作用的響應，這些負荷通常指什么34何謂材料的力學性能，常見的力學性能有哪些35影響材料的力學性能的因素36解釋應力應變曲線37彈性變形38彈性模量，解釋其物理意義39何謂材料的強度，工程上有哪些衡量材料強度的指標310何謂材料彈性極限ΣE，條件彈性極限311何謂材料屈服強度（屈服應力）ΣS，條件屈服強度312何謂抗拉強度ΣB，對于不發(fā)生頸縮的材料如何定義其抗拉強度313何謂斷裂強度ΣF314何謂塑性功，塑性功的對材料成型工藝的意義315材料的延伸率和斷面收縮率的物理意義316何謂材料硬度，常用測試方法及名稱317洛氏硬度的測定原理，HRB何意，具體壓頭、載荷、應用范圍318下面示意圖中何者為維氏硬度測量示意319何謂材料的韌性，與強度、塑性的對比334解讀鍵能與原子平均間距示意圖335敘述金屬材料和非金屬材料的導熱機理336熱應力與其物理意義337熱應力產生的主要因素338如何消除熱應力339何謂高分子材料的老化，舉例說明340引起高分子材料老化的環(huán)境因素4材料的原子結構和原子間結合鍵41影響材料的內部結構的因素及重要性42固體材料按照聚集狀態(tài)分類43實際上材料結構的涵義是什么44何謂材料顯微組織結構，舉例45何謂原子的電子結構，其特征尺度，研究內容分類46凝聚態(tài)成為物質常見狀態(tài)的原因47凝聚態(tài)分類48聚集態(tài)原子間相互作用的一般規(guī)律常用何種模型說明，具體內容是什么49一些晶體的結合能可粗略地表示為NMRBRARE，說明方程右邊各項含義410離子鍵舉例說明411離子鍵特征，離子晶體特征

簡介：此資料為北科材料科學基礎本科生作業(yè)習題答案供報考北科材料人員使用。目錄1第一章晶體學22第二章晶體結構193第三章相圖224第四章金屬和合金中的擴散455第五章凝固566第六章錯位657第七章晶態(tài)固體的表面和界面798第八章晶體的塑性變形869第九章回復和再結晶9410第十章固態(tài)轉變100歪制作合成，望有用12解因1000100012100100001010400121004001的等價操作為10000101010000101010001000142001100這組合的操作和2011操作等效。40012100的等價操作為10000101010001000110000101024100001這組合的操作和2011操作等效。對比上面兩個結果，操作的順序不同，所得的操作結果不同。6畫出圖159中各個形體所有的對稱元素。其中A是立方體，B是四面體，C是八面體，D是正六面柱體。解下圖是立方體和八面體的對稱元素示意圖。立方體有4個3次軸，它們是4個體對角線，即過立方體中心的3個方向；有3個4次軸，它們是立方體三對平行面的中點連線，即過立方體中心的3個方向；有6個2次軸，它們是過立方體中心的6個方向；有9個鏡面，即過立方體中心的3個100面和過立方體中心的6個110面；有一個對稱中心，它就是立方體的中心。立方體頂面和底面中心與過立方體中心并平行于頂面（和底面）的四邊形四個頂點連接起來就是一個八面體，所以八面體的對稱性質與立方體的相同。它有4個3次軸，3個4次軸，見上圖右2圖；有6個2次軸，見上圖的右3圖；有9個鏡面，上面最右邊的圖只畫出了四個鏡面，它們是過E、F點與ABCD四邊形的兩條中線連成的兩個面以及EAFC面和EBFC面，按同樣方法以A、C頂點和B、D頂點也可各得四個鏡面，但是其中有三個是重復的，所以共有9個鏡面；八面體中心是對稱中心。下右圖是六面柱體和四面體的對稱元素的示意圖。六面柱體有1個6次軸，它是過六面柱體中心并垂直頂面和底面的軸；有6個2次軸，它們是過六面柱體中心的六邊形的三個對角線和這個六邊形對邊中點連線；有7個鏡面，它們是是過六面柱體中心的六邊形面、六

簡介：材料科學基礎,第一章材料的結構,前言,材料熱處理學報，29（1），99－101，2008304奧氏體不銹鋼熱誘發(fā)馬氏體相變研究楊卓越、王建、陳嘉硯,摘要借助X射線衍射技術,研究了304奧氏體不銹鋼熱誘發(fā)馬氏體相變傾向。結果表明C、MN、CR和NI接近標準規(guī)范下限,304不銹鋼的穩(wěn)定性急劇下降,致使液氮內冷卻后的奧氏體轉變?yōu)棣　浠颚ヱR氏體,室溫拉伸即形成應變誘發(fā)Ε和Α′馬氏體,而且較小的室溫變形顯著增大隨后液氮內冷卻的熱誘發(fā)Α′馬氏體相變傾向,但隨室溫預應變增大快速形成應變誘發(fā)Α′馬氏體,致使隨后在液氮內發(fā)生熱誘發(fā)Α′馬氏體傾向下降。此外,研究表明Ε馬氏體的形成及消失與Α′馬氏體的累積量有關。,SHUILI,JINTAO,TIANSUGUI,HUZHUANGQIINFLUENCEOFPRECIPITATEMORPHOLOGYONTENSILECREEPOFASINGLECRYSTALNICKELBASESUPERALLOY,ABSTRACTTHEINFLUENCEOFTHEPRECIPITATEMORPHOLOGYONTHECREEPPROPERTIESOF001ORIENTATEDSPECIMENSOFANICKELBASESINGLECRYSTALSUPERALLOYHASBEENINVESTIGATEDSPECIMENSWITHTWODIFFERENTMICROSTRUCTURES,NAMELYASHEATTREATEDCRYSTALSWITHCUBOIDALPARTICLESANDCRYSTALSGIVENACOMPRESSIONPRETREATMENTTOFORMARAFTMICROSTRUCTUREORIENTATEDPARALLELTOTHESTRESSAXIS,WERECREPTAT800AND1000?CTHEANALYSISOFTHEEXPERIMENTSSHOWTHAT,AT800?CAND600MPA,THEALLOYWITHCUBOIDALPRECIPITATESEXHIBITEDBOTHLOWERCREEPRATESANDLONGERRUPTURELIVESCOMPAREDTOTHOSEWITHRAFTEDTEMEXAMINATIONSHOWEDTHAT,INADDITIONTO{111}110SLIPSYSTEMOPERATEDINMATRIX,THEPRECIPITATESARECUTBYSUPERLATTICEDISLOCATIONSANDSTACKINGFAULTITINDICATEDTHATDISLOCATIONSCOULDSHEARTHESEMICOHERENTRAFTSRELATIVELYEASILYOMPAREDTOTHECOHERENTCUBOIDALAT1000?CAND200MPA,THEALLOYWITHRAFTMICROSTRUCTUREEXHIBITEDANEXTREMELYLOWMINIMUMCREEPRATEANDLONGERRUPTURELIFETHEDISLOCATIONSMOVEMENTBYTHECOMBINATIONOFCLIMBINGANDGLIDINGPROCESSESANDTHEGLIDE–CLIMBALONG/VERTICALINTERFACESAREIMPEDEDMOSTSTRONGLYTHISINDICATESTHATTHERAFTEDSTRUCTUREISBENEFICIALTOIMPROVINGCREEPRESISTANCEOFTHEALLOYUNDERTHETESTCONDITION,MATERIALSSCIENCEANDENGINEERINGA454–4552007461–466,FIG5DISLOCATIONSTRUCTUREOFAPRECOMPRESSIONTREATMENTSPECIMENSDURINGCREEPAT800?CAND600MPAAT0,BT10H,CT50HANDDAFTERFAILATT287H,FIG8SCHEMATICOFDISLOCATIONSHEARINGPRECIPITATEBYSTACKINGFAULT,相關概念,304不銹鋼熱誘發(fā)液氮－拉伸變形－液氮－X光、TEMΓ奧氏體Α′立方馬氏體Ε六方馬氏體X射線、TEM111200220311NICKELBASESUPERALLOY001ORIENTATED001位向SINGLECRYSTAL單晶體CUBOIDALPARTICLES立方系顆粒{111}110SLIPSYSTEM滑移系DISLOCATIONSANDSTACKINGFAULT位錯和層錯DISLOCATIONSCLIMBINGANDGLIDING位錯攀移和滑移,⑴相變機制固態(tài)相變過飽和固溶體蠕變位錯層錯滑移攀移⑵晶體學基礎結構單晶體多晶體原子排列體心立方面心立方密排六方晶體表征晶面指數(shù)晶向指數(shù),內容及要求懂－會－熟（練習）,本章內容,1化學鍵2晶體和非晶體3空間點陣－4要素14種點陣（7個晶系）陣點晶向晶面晶胞（單胞）4晶向指數(shù)5晶面指數(shù)6典型金屬晶體結構體心立方面心立方密排六方7合金相結構固溶體中間相,§11材料的結合方式,化學鍵質點間的作用力共價鍵共用電子對所產生的力離子鍵兩種離子間的靜電力金屬鍵屬正離子與自由電子之間的力范德瓦爾斯鍵正負電荷部分間的微弱靜電力,共價鍵,離子鍵,金屬鍵,,§12晶體學基礎,原子排列無序短程有序長程有序晶體三維、周期性重復（整齊排列）近程有序,一、空間點陣,質點－幾何點空間點陣陣點＝結構單元（原子、離子、分子、集團）晶格晶體結構－晶體點陣晶胞對稱、棱角、直角、體積,對稱最好棱角最多直角最多體積最小,晶胞的表征XYZABCΑΒΓ,布拉菲點陣“每個陣點環(huán)境相同”（1848）14種點陣－7個晶系,7個晶系－14種點陣,課堂練習1－1,晶胞的表征畫出面心立方、體心立方、密排六方結構圖。畫圖說明面心立方點陣可以表示為體心立方點陣。畫14種單胞舉例說明和UVW、{HKL}與HKL的區(qū)別,練習1－1參考答案,二、晶向指數(shù)和晶面指數(shù),晶向指數(shù),晶面指數(shù),六方系指數(shù),課堂練習1－2,在立方系中繪出{110}、{111}晶面族所包含的晶面及（112），（120）晶面。作圖表示出晶面族所包含的晶面。確定（112）和（120）晶面。求金剛石結構中通過（0，0，0）和（3/4，3/4，1/4）兩碳原子的晶向，及于該晶向垂直的晶面。,,練習1－2答案,,,№1,∞、∞、∞、1,（1121）1、1、－1/2、1,,№2,晶帶相交或平行于某直線的所有晶面,直線晶帶軸晶帶定理HUKVLW0,晶面間距,,面間距的應用－物相鑒定,FE的PDF卡片已知,FE的X射線衍射譜實驗,求（121）與（100）決定和（001）和（111）所決定晶帶軸計算面心立方結構（111），（110），（100）的面間距。－－其它面間距公式－計算任意晶面的面間距,課題練習1－3,№4,,三、極圖,,EBSP,晶體極射赤面投影,,,基園赤道緯線,課題練習1－4,EBSP文獻,§13材料的晶體結構,一、典型金屬的晶體結構,二、原子半徑配位數(shù)面心立方,致密度原子體積/晶胞體積,間隙體心－四12/八6面心－四8/八4,試證明等徑鋼球最緊密堆積時所形成的密排六方結構有C/A＝1633,CB√3A/6C/2√2/3AC/A≈1633,,,,四、間隙,課題練習5,計算面心立方結構的八面體間隙和四面體間隙半徑，并用間隙半徑和原子半徑之比表示間隙的大小。2畫四面體、八面體間隙,金剛石結構SI、GE、SN、C共價鍵配位數(shù)＝8－N族數(shù)＝4致密度034（低于面心立方結構）,四面體間隙RB/RA≈0255八面體間隙RB/RA≈0414,三、原子的堆垛方式,132晶體結構,共價鍵晶體離子鍵晶體固溶體置換固溶體間隙固溶體合金相中間相正常價化合物電子化合物間隙相/間隙化合物拓撲密堆相,,,,共價鍵晶體結構金剛石結構層狀結構鏈狀結構,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,VA族元素菱形層狀結構配位數(shù)3,VIA族元素鏈狀結構配位數(shù)2,離子晶體結構,典型離子化合物的晶體結構,離子晶體閱讀－思考題,畫圖說明CSCL結構、離子位置、配位數(shù)畫圖說明NACL結構、離子位置、配位數(shù)畫圖說明CAF2結構、離子位置、配位數(shù)總結離子晶體的一般特征,組元相單相合金多相合金,合金相結構固溶體和中間相,置換固溶體,固溶體,圖1－33,條件晶體結構類型相同原子尺寸（RARB）/RA±1415電負性?。纬晒倘荏w，大－形成化合物電子濃度FCC136BCC148HCP175,,,,間隙固溶體FCCFC9％BCCFC0095,無序－偏聚－短程有序完全有序（有序固溶體－超結構、超點陣）,固溶體的微觀不均勻性,CUAUII型超結構,正常價化合物符合原子價規(guī)律ABAB2A2B3硬脆2電子化合物HUMEROTHERY定律濃度決定結構表1－6熔點高硬脆間隙相和間隙化合物過渡族金屬＋非金屬RX/RM－059拓撲密堆相大小原子－四面體間隙（空間圖形的分離性/緊性/連通性）,中間相超過溶解度形成的新相,正常價化合物ABNACL,正常價化合物AB2CAF2,,,CL,NA,,,正常價離子化合物,電子化合物Β－21/14－體心立方（CUZN）Γ－21/13－復雜立方（CU5ZN8）Ε－21/12－密排六方（CUZN3）,硬－脆－強,間隙相高硬度、高熔點、金屬性,間隙化合物M3CM7C3M23C6,1650℃1340HVFE14密排C4間隙（八）FEC31,拓撲密堆相LAVESΣRP,,,,,課題練習,氯化鈉與金剛石各屬于那種空間點陣計算其配位數(shù)與致密度12。,氯化鈉面心立方正負離子配位數(shù)6致密度067,金剛石面心立方配位數(shù)4致密度034,NACL占一個陣點，面心立方，每個NA（CL）周圍有6個CL（NA），配位數(shù)6；RNA0097NM，RCL＝0181NM，A＝2（0097＋0181）＝0556NM。4個陣點－K＝067,金剛石面心六方配位數(shù)4（8－N）原子半徑111原子鄰接,CS與CL－的相對原子質量分別為1329和3545，離子半徑分別為0170NM和0181NM，試述晶體結構特點，屬于何種空間點陣并求離子配位數(shù)、致密度K和密度Ρ。,1離子半徑比0939方向正負離子相切，致密度密度421G/CM3,FEAL是電子化合物，電子濃度為3/2，畫出（112）面原子排列112對晶體結構進行分類性總結VCFE3CCUZNMGCU2類型及結構（1－13）,參考答案,1FEAL電子化合物，C電＝3/2體心立方2VC間隙相，F(xiàn)CC，V在結點，C在八面體間隙，NACL型結構FE3C復雜晶格，正交系，F(xiàn)E近密堆排列，呈八面體，C在八面體間隙CUZN電子化合物C電＝3/2BCCMGCU2LAVES相復雜立方，CU組成小四面體，MG位于四面體間隙,組成金剛石結構,

簡介：常壓燒結技術在材料科學與工程專業(yè)實驗教學中的研常壓燒結技術在材料科學與工程專業(yè)實驗教學中的研究和應用究和應用常壓燒結技術材料科學與工程專業(yè)實驗教學研究應用一、前言在材料科學與工程專業(yè)的本科教學工作中，學生在高年級就開始學習材料科學與工程專業(yè)的基礎課程和專業(yè)課程。其中在材料科學與工程專業(yè)課程教學中，在講述材料的制備工藝方法中講述過常壓燒結工藝制備和合成復合材料。常壓燒結工藝是制備金屬陶瓷復合材料以及其他類型復合材料的主要方法。常壓燒結工藝首先將原料粉末通過壓力成型工藝制備出具有一定形狀的試樣坯體，并放入到高溫燒結爐中進行高溫燒結得到致密的燒結試樣，所以通過常壓燒結工藝得到較高致密度的燒結制品。所以常壓燒結工藝制造的燒結制品的致密度較高，力學性能較高。常壓燒結工藝可以制備復合材料和梯度功能材料等。常壓燒結工藝燒結速度慢，燒結時間較長，但是燒結溫度較高，可以制備比較致密的燒結塊材。采用常壓燒結工藝可以制備復合材料等。常壓燒結工藝制備復合材料由于具有可以達到凈近尺寸成形的優(yōu)勢，常壓燒結工藝可以根據(jù)工程需要制造形狀復雜的燒結制品和零部件，所以常壓燒結工藝能夠廣泛應用于工程領域中。在材料科學與工程專業(yè)的本科課程教學中，在材料加工工程和材料制備方法中都講述過常壓燒結技術。此外還可以將常壓燒結技術制備復合材料作為一項實驗教學內容安排學生進行實驗，使學生認識和了解常壓燒結技術制備復合材料的工藝過程。粉末原料通過壓力成型工藝制成所需要形狀的預制體，此預制體具有一定的致密度，并將預制體放入到高溫燒結爐中進行高溫燒結工藝，在一定的燒結溫度下保溫一段時間得到致密度較高的燒結制品。常壓燒結工藝可選擇的材料種類比較多，適用面也比較廣泛。采用常壓燒結工藝可以制備各種復雜形狀的燒結制品和零部件，所以常壓燒結工藝在材料科學與工程領域有著廣泛的研究和應用。三、常壓燒結技術在材料科學與工程專業(yè)實驗教學中的研究和應用常壓燒結工藝是首先是將原料粉末通過壓力成型工藝制備出具有一定形狀的試樣坯體，并放入到高溫燒結爐中進行高溫燒結得到致密的燒結試樣。常壓燒結工藝是在燒結過程中對材料不進行加壓而使其在高溫燒結爐中以一定氣氛壓力下燒結制備致密的燒結試樣，常壓燒結工藝是目前應用最普遍的燒結方法。常壓燒結技術具有燒結溫度較高，燒結時間較長，燒結效率高，可以實現(xiàn)燒結成型工藝，所以常壓燒結技術主要用于制備金屬陶瓷復合材料以及其他復合材料等。在材料科學與工程專業(yè)的教學課程中，其中材料加工工程和材料制備與合成方法講述過常壓燒結工藝。常壓燒結工藝同粉末冶金技術一樣都是材料的制備工藝技術。常壓燒結工藝同樣也是熱加工工藝，常壓燒結工藝是首先是將原料粉末通過壓力成型工藝制備出具有一定形狀的試樣坯體，并放入到高溫燒結爐中進行高溫燒結得到致密的燒結試樣。常壓燒結試樣坯體在高溫燒結作用下形成致密的燒結體。在材料科學與工程專業(yè)課程的課堂教學中，有

簡介：1緒論1、仔細觀察一下白熾燈泡，會發(fā)現(xiàn)有多少種不同的材料每種材料需要何種熱學、電學性質2、為什么金屬具有良好的導電性和導熱性3、為什么陶瓷、聚合物通常是絕緣體4、鋁原子的質量是多少若鋁的密度為27GCM3，計算1MM3中有多少原子5、為了防止碰撞造成紐折，汽車的擋板可有裝甲制造，但實際應用中為何不如此設計說出至少三種理由。6、描述不同材料常用的加工方法。7、敘述金屬材料的類型及其分類依據(jù)。8、試將下列材料按金屬、陶瓷、聚合物或復合材料進行分類黃銅鋼筋混凝土橡膠氯化鈉鉛錫焊料瀝青環(huán)氧樹脂鎂合金碳化硅混凝土石墨玻璃鋼9、AL2O3陶瓷既牢固又堅硬且耐磨，為什么不用AL2O3制造鐵錘晶體結構1、解釋下列概念晶系、晶胞、晶胞參數(shù)、空間點陣、米勒指數(shù)（晶面指數(shù)）、離子晶體的晶格能、原子半徑與離子半徑、配位數(shù)、離子極化、同質多晶與類質同晶、正尖晶石與反正尖晶石、反螢石結構、鐵電效應、壓電效應2、（1）一晶面在X、Y、Z軸上的截距分別為2A、3B、6C，求出該晶面的米勒指數(shù)；（2）一晶面在X、Y、Z軸上的截距分別為A3、B2、C，求出該晶面的米勒指數(shù)。3、在立方晶系的晶胞中畫出下列米勒指數(shù)的晶面和晶向（001）與210，（111）與112，（110）與111，（322）與236，（257）與111，（123）與121，（102），（112），（213），110，111，120，3214、寫出面心立方格子的單位平行六面體上所有結點的坐標。5、已知MG2半徑為0072NM，O2半徑為0140NM，計算MGO晶體結構的堆積系數(shù)與密度。6、計算體心立方、面心立方、密排六方晶胞中的原子數(shù)、配位數(shù)、堆積系數(shù)。7、從理論計算公式計算NAC1與MGO的晶格能。MGO的熔點為2800℃，NAC1為80L℃請說明這種差別的原因。8、根據(jù)最密堆積原理，空間利用率越高，結構越穩(wěn)定，金鋼石結構的空間利用率很低只有3401％，為什么它也很穩(wěn)定9、證明等徑圓球面心立方最密堆積的空隙率為259％；10、金屬鎂原子作六方密堆積，測得它的密度為174克厘米3，求它的晶胞體積。11、根據(jù)半徑比關系，說明下列離子與O2配位時的配位數(shù)各是多RO20132NMRSI40039NMRK0133NMRAL30057NMRMG20078NM12、為什么石英不同系列變體之間的轉化溫度比同系列變體之間的轉化溫度高得多13、有效離子半徑可通過晶體結構測定算出。在下面NACL型結構晶體中，測得MGS和MNS的晶胞參數(shù)均為A052NM在這兩種結構中，陰離子是相互接觸的。若CASA0567NM、CAOA048NM和MGOA042NM為一般陽離子陰離子接觸，試求這些晶體中各離子的半徑。14、氟化鋰LIF為NACL型結構，測得其密度為26G／CM3，根據(jù)此數(shù)據(jù)汁算晶胞參數(shù)，并將此值與你從離子半徑計算得到數(shù)值進行比較。15、LI2O的結構是O2作面心立方堆積，LI占據(jù)所有四面體空隙位置。求1計算四面體空隙所能容納的最大陽離子半徑，并與書末附表LI半徑比較，說明此時O2能否互相接觸。2根據(jù)離子半徑數(shù)據(jù)求晶胞參數(shù)。3求LI2O的密度。16、試解釋對于AX型化合物來說，正負離子為一價時多形成離子化合物。二價時則形成的離子化合物減少如ZNS為共價型化合物，到了三價、四價如ALN，SIC則是形成共價化合物了。310、有兩個相同符號的刃位錯，在同一滑移面上相遇，它們將是排斥還是吸引11、晶界對位錯的運動將發(fā)生怎么樣的影響能預計嗎12、晶界有小角度晶界與大角度晶界之分，大角度晶界能用位錯的陣列來描述嗎13、試述影響置換型固溶體的固溶度的條件。14、從化學組成、相組成考慮，試比較固溶體與化合物、機械混合物的差別。15、試闡明固溶體、晶格缺陷和非化學計量化合物三者之間的異同點，列出簡明表格比較。16、在面心立方空間點陣中，面心位置的原子數(shù)比立方體頂角位置的原子數(shù)多三倍。原子B溶入A晶格的面心位置中，形成置換型固溶體，其成分應該是A3B呢還是A2B為什么17、AL2O3在MGO中形成有限固溶體，在低共熔溫度1995℃時，約有18重量％AL2O3溶入MGO中，假設MGO單位晶胞尺寸變化可忽略不計。試預計下列情況的密度變化。AO2為填隙離子。BA13為置換離子。18、對磁硫鐵礦進行化學分析按分析數(shù)據(jù)的FE／S計算，得出兩種可能的成分FE1XS和FES1X。前者意味著是FE空位的缺陷結構；后者是FE被置換。設想用一種實驗方法以確定該礦物究竟屬哪一類成分。19、說明為什么只有置換型固溶體的兩個組份之間才能相互完全溶解，而填隙型固溶體則不能。20、如果1溶劑和溶質原子的原子半徑相差超過15％；2兩元素的電負性相差超過04％，通常這一對元素將不利于形成置換型固溶體，其中前一因素往往起主導作用。僅根據(jù)提供的資料提出哪一對金屬大概不會形成連續(xù)固溶體TAW，PTPBCO一NI，COZN，TITA。金屬原子半徑NM晶體結構金屬原子半徑NM晶體結構TICONI014610125101246六方883℃六方427℃面心立方427℃面心立方ZNTAWPTPD0133201430013700138701750六方體心立方體心立方面心立方面心立方21、對于MGO、AL2O3，和CR2O3，其正、負離子半徑比分別為047、036和040，則A1203和CR23形成連續(xù)固溶體。A這個結果可能嗎為什么B試預計，在MGOCR2O3系統(tǒng)中的固溶度是有限的還是無限的為什么22、某種NIO是非化學計量的，如果NIO中NI3NI2104，問每M3中有多少載流子。

簡介：單項選擇題第1章原子結構與鍵合1高分子材料中的CH化學鍵屬于。（A）氫鍵（B）離子鍵（C）共價鍵2屬于物理鍵的是。（A）共價鍵（B）范德華力（C）離子鍵3化學鍵中通過共用電子對形成的是。（A）共價鍵（B）離子鍵（C）金屬鍵第2章固體結構4以下不具有多晶型性的金屬是。（A）銅（B）錳（C）鐵5FCC、BCC、HCP三種單晶材料中，形變時各向異性行為最顯著的是。（A）FCC（B）BCC（C）HCP6與過渡金屬最容易形成間隙化合物的元素是。（A）氮（B）碳（C）硼7面心立方晶體的孿晶面是。（A）112（B）110（C）1118以下屬于正常價化合物的是。（A）MG2PB（B）CU5SN（C）FE3C第3章晶體缺陷9在晶體中形成空位的同時又產生間隙原子，這樣的缺陷稱為。（A）肖特基缺陷（B）弗侖克爾缺陷（C）線缺陷10原子遷移到間隙中形成空位間隙對的點缺陷稱為。（A）肖脫基缺陷（B）FRANK缺陷（C）堆垛層錯11刃型位錯的滑移方向與位錯線之間的幾何關系是（A）垂直（B）平行（C）交叉12能進行攀移的位錯必然是。（A）刃型位錯（B）螺型位錯（C）混合位錯13以下材料中既存在晶界、又存在相界的是（A）孿晶銅（B）中碳鋼（C）亞共晶鋁硅合金14大角度晶界具有____________個自由度。（A）3（B）4（C）5第4章固體中原子及分子的運動15菲克第一定律描述了穩(wěn)態(tài)擴散的特征，即濃度不隨變化。（A）距離（B）時間（C）溫度16在置換型固溶體中，原子擴散的方式一般為。（A）原子互換機制（B）間隙機制（C）空位機制17固體中原子和分子遷移運動的各種機制中，得到實驗充分驗證的是（A）間隙機制（B）空位機制（C）交換機制18原子擴散的驅動力是。（42非授課內容）（A）組元的濃度梯度（B）組元的化學勢梯度（C）溫度梯度34再結晶晶粒長大的過程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界遷移的直接原因，晶界總是向著______________方向移動（A）曲率中心（B）曲率中心相反（C）曲率中心垂直35開始發(fā)生再結晶的標志是（A）產生多變化（B）新的無畸變等軸小晶粒代替變形組織（C）晶粒尺寸顯著增大36在純銅基體中添加微細氧化鋁顆粒屬于。（A）復合強化（B）析出強化（C）固溶強化37在純銅基體中添加鋁或錫、鎳等微量合金元素屬于。（A）復合強化（B）析出強化（C）固溶強化38在純鋁的凝固過程中添加ALTIB細化劑屬于。（A）復合強化（B）晶粒細化（C）固溶強化第6章單組元相圖及純晶體的凝固39凝固時在形核階段，只有核胚半徑等于或大于臨界尺寸時才能成為結晶的核心，當形成的核胚半徑等于臨界半徑時，體系的自由能變化。（A）大于零（B）等于零（C）小于零40以下材料中，結晶過程中以非小平面方式生長的是。（A）金屬鍺（B）透明環(huán)己烷（C）氧化硅41以下材料中，結晶過程中以小平面方式生長的是。（A）金屬鍺（B）銅鎳合金（C）金屬鉛42形成臨界晶核時體積自由能的減少只能補償表面能的。（A）13（B）23（C）1443鑄錠凝固時如大部分結晶潛熱可通過液相散失時，則固態(tài)顯微組織主要為。（A）樹枝晶（B）柱狀晶（C）胞狀晶44凝固時不能有效降低晶粒尺寸的是以下哪種方法（A）加入形核劑（B）減小液相過冷度（C）對液相實施攪拌第7章二元系相圖及其合金的凝固45對離異共晶和偽共晶的形成原因，下述說法正確的是。（A）離異共晶只能經非平衡凝固獲得（B）偽共晶只能經非平衡凝固獲得（C）形成離異共晶的原始液相成分接近共晶成分46在二元系合金相圖中，計算兩相相對量的杠桿法則用于。（A）單相區(qū)中（B）兩相區(qū)中（C）三相平衡水平線上47二元系合金中兩組元部分互溶時，不可能發(fā)生。（A）共晶轉變（B）勻晶轉變（C）包晶轉變48任一合金的有序結構形成溫度無序結構形成溫度。（A）低于（B）高于（C）可能低于或高于49FCC、BCC、HCP三種單晶材料中，形變時各向異性行為最顯著的是。（A）FCC（B）BCC（C）HCP50與過渡金屬最容易形成間隙化合物的元素是。（A）氮（B）碳（C）硼

簡介：材料科學基礎輔導與習題第三版材料科學基礎輔導與習題第三版共7篇材料科學基礎習題三1下圖為AB二元相圖，請指出1水平線上反應的性質；2各區(qū)域的組織組成物；3分析合金I，II的冷卻過程；4合金工，II室溫時組織組成物的相對量表達式。2下圖為FEFE3C相圖，試1解釋圖中各相區(qū)、特性點和特性線的意義是什么2比較WC＝，的合金平衡狀態(tài)下的結晶過程和室溫組織有何不同，并計算組織相對含量。3指出并解釋馬氏體相變的特征。4利用相律辨別下圖中各相圖是否正確，并說明原因。5考慮在一個大氣壓下液態(tài)鋁的凝固，對于不同程度的過冷度，即ΔT1，10，100和200℃，計算A臨界晶核尺寸；B半徑為R的晶核個數(shù)；C從液態(tài)轉變到固態(tài)時，單位體積的自由能變化Δ第三章習題解答3，7，10，11，253113、非化學計量化合物有何特點為什么非化學計量化合物都是N型或P型半導體材料解答非化學計量化合物的特點非化學計量化合物產生及缺陷濃度與氣氛性質、壓力有關；可以看作是高價化合物與低價化合物的固溶體；缺陷濃度與溫度有關，這點可以從平衡常數(shù)看出；非化學計量化合物都是半導體。由于負離子缺位和間隙正離子使金屬離子過剩，產生金屬離子過剩半導體，正離子缺位和間隙負離子使負離子過剩，產生負離子過剩半導體。6113、說明下列符號的含義解答鈉原子空位，鈉離子空位、帶一個單位負電荷，氯離子空位、帶一個單位正電荷，最鄰近的NA空位、CL空位形成的締合中心，CA2占據(jù)K位置、帶一個單位正電荷，CA原子位于CA原子位置上，CA2處于晶格間隙位置。17113、寫出下列缺陷反應式NACL溶入CACL2中形成

簡介：畢業(yè)設計（論文）畢業(yè)設計（論文）論文題目論文題目反應條件對反應條件對SOLGEL合成鋯英石的影響合成鋯英石的影響英文題目英文題目INFLUENCEOFTHEREACTIONCONDITIONONPREPARATIONOFZRSIO4BYSOLGEL學院院化學生物與材料科學學院化學生物與材料科學學院專業(yè)業(yè)材料科學與工程材料科學與工程學號號07057125學生姓名學生姓名指導教師指導教師東華理工大學畢業(yè)設計（論文）ABSTRACTIABSTRACTTHESAFEDISPOSITIONOFHIGHLEVELRADIOACTIVEWASTEISAGLOBALPROBLEMFTHENUCLEARDEVELOPMENTSINCETHETECHNICALISVERYDIFFICULTTHERESEARCHCYCLEISLONGER，ITREFERSTODIFFERENTSUBJECTSINCLUDINGGEOLOGYCHEMISTRYMATERIALSOTHERSASTHEFIRSTARTIFICIALBARRIEROFDEEPGEOLOGICALDISPOSALOFHLWTHESTABILITYOFIMMOBILIZATIONHASIMPTANTINFLUENCEONDISPOSALREPOSITYTHISPAPERSYNTHESIZESZIRCONBYSOLGELWEDICUSSSOLGELREACTIONCONDITIONSHOWTOINFLUENCETHEPREPARATIONOFPRECURSTESTINGTHEPHYSICALCHEMICALPROPERTIESOFZIRCONSAMPLESUSEXRDEPMATOANALYSISETHEDIFFERENTPHASECOMPOSITIONMINERALCOMPOSITIONOFSEVERALGROUPSOFZIRCONSAMPLESTHEEXPERIMENTALCONDITIONSFZIRCONPRECURSISAMOUNTOFWATER30MLPH2～3THEPHASEOFSAMPLEWASHEDBYAMMONIAISFMOFBADDELEYITEZRO2ZIRCONZRSIO4THEOTHERPHASE（SIO2）ANOTHERWITHOUTWASHINGONLYINCLUDESBADDELEYITEZRO2THEMAINCOMPOSITIONSOFTWOSAMPLESAREMAINLYCOMPOSEDWITHZRO2SIO2ZRO2ISTHEMAINCONTENTKEYWDSZIRCON、SOLGEL、REACTIONCONDITION